<b>Fontes de silício na micropropagação de orquídea do grupo <em>Cattleya</em></b> - doi: 10.4025/actasciagron.v33i3.6281

Resumo

O objetivo deste trabalho foi determinar a fonte de silício que proporcione melhor crescimento em plântulas de Cattleya loddigesii. Plântulas oriundas de sementes germinadas in vitro com aproximadamente 1,0 cm de comprimento foram inoculadas em tubos de ensaio contendo 15 mL de meio de cultura Knudson C modificado, acrescido de silicato de sódio (0, 5, 10 e 20 mg L^-1) e silicato de potássio (0, 5, 10 e 20 mL L^-1), em todas as combinações possíveis. O meio de cultura teve seu pH ajustado para 5,8 ± 0,1 e solidificado com 5 g L^-1 de ágar antes do processo de autoclavagem a 121°C e 1 atm por 20 min. O cultivo foi mantido em sala de crescimento com irradiância de 35 µmol m^-2 s^-1, temperatura de 25 ± 1°C e fotoperíodo de 16h. O delineamento experimental foi inteiramente casualizado em esquema fatorial, com cinco repetições e 20 plântulas por tratamento. Plântulas de C. loddigesii apresentam maior crescimento (número de raízes, comprimento da parte aérea e de raízes) em meio de cultura Knudson C modificado adicionado de 5 mL L^-1 de silicato de potássio e de 20 mg L^-1 de silicato de sódio. Maior número de brotos é verificado com a adição de 5 mL L^-1 de silicato de potássio em meio Knudson C modificado, na ausência de silicato de sódio.